当前位置 首页 >报告诀窍 >

SiC晶体测温技术研究

作者:jkyxc 浏览数:

zoޛ)j馔҈.J ׭4iJ 59n6^M4N?rШǫ)je{--^݊x0常用衍射峰高1/2处的宽度来表示,称为半高宽(FWHM)[14-15]。所以半高宽(FWHM)和衍射峰位置(2θ)可以作为表征6H-SiC测温晶体的晶体缺陷特征的参数。

将6H-SiC测温晶体放入马弗炉进行等时间退火处理,退火温度100~1 600 ℃,温度间隔100 ℃,退火保温时间5 min。使用X射线衍射仪检测6H-SiC测温晶体的衍射峰。6H-SiC测温晶体的一组X射线衍射谱数据见表1。

分析比较特征参数能代表的测温范围。对表1中2θ和FWHM进行分析,它们与退火温度存在一定的相关性,采用最小二乘法对特征参数与退火温度数据进行曲线拟合,2θ与退火温度的关系见图1,可知2θ在100~1 300 ℃范围内有规律的变大,其他温度几乎没有变化。FWHM与退火温度的关系见图2,可知FWHM在600~1 600 ℃范围内有规律的变小,其他温度几乎没有变化。2θ和FWHM的变化规律说明中子辐照的6H-SiC晶体的缺陷随退火温度有规律的回复,以2θ为表征参数的测温范围为100~1 300 ℃,以FWHM为表征参数的测温范围为600~1 600 ℃。所以FWHM的测温更高,适于发动机的高温测试。

使用上式计算6H-SiC测温晶体的FWHM和2θ的灵敏度,计算结果曲线见图3,可知FWHM的灵敏度优于2θ。

FWHM是一个相对值,与X射线衍射仪的2θ扫描运行误差无关,而衍射峰位置2θ与X射线衍射仪的2θ扫描运行误差有关,因为X射线衍射仪的2θ扫描运行误差是很难控制的[16],所以FWHM的分析测试受仪器影响相对较小。

因此,使用FWHM表征SiC测温晶体的温度,测温范围宽,测温精度高,更适用于航空发动机高温部件的温度测量,所以选择FWHM作为表征SiC测温晶体的参数。

4 晶体测温试验

冷却效果是涡轮叶片冷却设计的关键指标,冷却效果试验是解决高压涡轮导向叶片改进设计有效性、热障涂层可靠性的主要验证手段。因试验过程需要测量航空发动机叶片的壁温,需在某航空发动机涡轮叶片的冷效试验中使用6H-SiC测温晶体测量叶片的壁温。为此在2个叶片表面安装16个测温晶体,并在测温晶体附近安装16个热电偶。试验后判读测温晶体,其中1个叶片的测温数据见表2。

表中的误差为测温晶体与热电偶的相对误差,测温晶体相对热电偶的测温误差小于1%,可以满足发动机研制试验的测温要求。

5 结束语

晶体测温技术作为一种新型测温技术,具有无引线、微尺寸、微重量特征,开发的基于SiC晶体材料的测温技术,使用国产的6H-SiC晶体作为测温晶体材料,实现了测温晶体的国产化,将SiC晶体测温提高至1 600 ℃,为我国航空发动机研制提供了一种先进的测温手段。

参考文献

[1] 张宝诚. 航空发动机试验和测试技术[M]. 北京:北京航空航天大学出版社,2005:640-702.

[2] 王振华. 航空发动机试验测试技术发展探讨[J]. 航空发动机,2014,40(6):47-51.

[3] Siemens SGT-800 industrial gas turbine enhanced to 47 MW design modifications and operation experience:GT 2008-50087[S]. 2008.

[4] Uniform crystal temprature sensor accuracy under transient conditions:GT 2012-68197[S]. 2012.

[5] 阮永丰,张兴,马鹏飞,等. 一种以中子辐照的碳化硅晶体为传感器的测温方法:200910069820[P]. 2009-12-09[2016-08-10].

[6] 靳正国,郭瑞松,师春生,等. 材料科学基础[M]. 天津:天津大学出版社,2011:150-193.

[7] 曹建中. 半导体材料的辐照效应[M]. 北京:科学出版社,1993:41-79.

[8] 郁金南. 材料辐照效应[M]. 北京:化学工业出版社,2007:466-467.

[9] VOLINSAKY A A, NIKOLEANKO V A, MOROZOV V A, et al. Irradiated single crystals for high temperature measurements in space application[J]. Mater Res Soc Symp Proc,2005(851):141-146.

[10] VOLINSKY A A, GINZBURSKY L. Irradiated cubic single crystal SiC as a high temperature sensor[J]. Mat Res Soc Symp Proc,2004(792):531-536.

[11] 王世忠. SiC單晶的性质、生长及应用[J]. 无机材料学报,2009,14(4):527-532.

[12] 施尔畏. 碳化硅晶体生长与缺陷[M]. 北京:科学出版社,2012:84-89.

[13] 徐世江,康飞宇. 核工程中的碳和石墨材料[M]. 北京:清华大学出版社,2010:135-249.

[14] 张海军,贾全利,董林. 粉末多晶X射线衍射技术原理及应用[M]. 郑州:郑州大学出版社,2010:91-101.

[15] 江超华. 多晶X射线衍射技术与应用[M]. 北京:化学工业出版社,2014:288-313.

[16] 周征,李建民,杨建平,等. 传感器原理与检测技术[M]. 北京:清华大学出版社,2014:29-36.

(编辑:李妮)

推荐访问:测温 晶体 技术研究 SiC

相关文章:

Top